Наименование: Модуль IGBT FP35R12W2T4_B11
Артикул: 2657
Производитель: Infineon
gbt модуль.
Характеристики
Напряжение коллектор – эмиттер: 1200 в, непрерывный коллекторный ток: 54 а, рассеиваемая мощность: 215 вт, макс. напряжение затвор – эмиттер: 20 в, монтаж на корпус.